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SI4910DY-T1-GE3
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SI4910DY-T1-GE3 Especificações técnicas
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 3.1W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
SI4910DY-T1-GE3 Documentos
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Folhas de dados
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As seguintes peças incluem 'SI491'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SI4910DY | VIS | ICs Quentes Especializados | 773 |
SI4910DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 5337 |
SI4910DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 36591 |
SI4910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Arrays de Transistores MOSFETs | |
SI4910DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | ICs Quentes Especializados | 18900 |
SI4910DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 2776 |
SI4910DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Arrays de Transistores MOSFETs | |
SI4910DY-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 637 |
SI4911DY-T1-E3 | VISHAY | ICs Quentes Especializados | 2495 |
SI4911DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | ICs Quentes Especializados | 18815 |
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