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SI7135DP-T1-GE3
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SI7135DP-T1-GE3 Especificações técnicas
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8650pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SI7135CJ | SIX | ICs Quentes Especializados | 2698 |
Si7135DP | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 5316 |
Si7135DP-T1-E3 | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 798200 |
SI7135DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 1266 |
SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos | |
SI7136DP | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 5361 |
SI7136DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 12974 |
SI7136DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 2272 |
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