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SI8800EDB-T2-E1 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 4-Microfoot
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SI8800EDB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 145009
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix Transistores MOSFET Únicos
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SI8800EDB-T2-E1 fabricantes de marcas: Vishay / Siliconix, Bonchip estoque, SI8800EDB-T2-E1 Preço de referência. SI8800EDB-T2-E1 parâmetros, SI8800EDB-T2-E1 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SI8800EDB-T2-E1 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SI8800EDB-T2-E1 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SI8800EDB-T2-E1 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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