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SIHB33N60EF-GE3
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SIHB33N60EF-GE3 Especificações técnicas
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 16.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3454pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Folhas de dados
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
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SIHB30N60E-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 2697 |
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SIHB33N60E | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 831 |
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SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos | |
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