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SIHP20N50E-GE3
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SIHP20N50E-GE3 Especificações técnicas
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
SIHP20N50E-GE3 Documentos
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Folhas de dados
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As seguintes peças incluem 'SIHP2'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SIHP20N50E | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 25 |
SIHP20N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 29 |
SIHP20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos | |
SIHP21N60EF | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 7470 |
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 10115 |
SIHP21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 3033 |
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos | |
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 2765 |
SIHP21N65EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 2756 |
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos |
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