SIZ920DT-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 39W, 100W
Package / Case 6-PowerPair™
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SIZ920DP-T1-GE3 Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 732
SIZ920DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 12258
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Arrays de Transistores MOSFETs
SIZ920DT-T1-GE3 IC Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 712
SIZ926DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 2692
SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Arrays de Transistores MOSFETs

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SIZ920DT-T1-GE3 fabricantes de marcas: Vishay / Siliconix, Bonchip estoque, SIZ920DT-T1-GE3 Preço de referência. SIZ920DT-T1-GE3 parâmetros, SIZ920DT-T1-GE3 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SIZ920DT-T1-GE3 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SIZ920DT-T1-GE3 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SIZ920DT-T1-GE3 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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