W632GU8KT-12 Especificações técnicas

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Atributo do produto Valor do atributo
Category Circuitos Integrados (CIs) / Memória
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - DDR3
Packaging Tray
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (128M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 78-VFBGA (8x10.5)
Access Time 20ns
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.283 V ~ 1.45 V
Supplier Device Package 78-VFBGA (8x10.5)
Package / Case 78-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 800MHz
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
W632GG6AB-12 Winbond Electronics Corporation Memória 2573
W632GG6AB-15 Winbond Electronics Corporation Memória 2739
W632GG6KB-09 Winbond Electronics Corporation Memória 2790
W632GG6KB-11 Winbond Electronics Corporation Memória 2680
W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics Corporation Memória 2607
W632GG6KB-12 Winbond Electronics Corporation Memória 758
W632GG6KB-12 IC Winbond Electronics Corporation ICs Quentes Especializados 714
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation Memória 2679
W632GG6KB-15 Winbond Electronics Corporation Memória 1346
W632GG6KB-15 IC Winbond Electronics Corporation ICs Quentes Especializados 414

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