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MBR200150CTR Especificações técnicas

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880mV @ 100A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 150V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2700
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2518
MBR200100R MOTOROLA Módulos IGBT 2689
MBR20010CT MOTOROLA Módulos IGBT 2600
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2682
MBR20015CTL MOTOROLA Módulos IGBT 2844
MBR20020 MOTOROLA Módulos IGBT 3000
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2761

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