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MBR200200CT Especificações técnicas

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 100A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 200V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
MBR200100 MOTOROLA Módulos IGBT 2797
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2727
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2700
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2518
MBR200100R MOTOROLA Módulos IGBT 2689
MBR20010CT MOTOROLA Módulos IGBT 2600
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2682
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Retificadores - Matrizes 2730
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MBR20020 MOTOROLA Módulos IGBT 3000

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