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IHW20N135R3FKSA1 Especificações técnicas

IGBT 1350V 20A 310W TO247-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / IGBTs Individuais
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 310W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Turn On Time 505 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 1.3mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.4V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
Power Dissipation-Max (Abs) 310W
Test Condition 600V, 20A, 15 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 385 ns
Gate Charge 195nC
Td (on/off) @ 25°C -/335ns
Gate-Emitter Voltage-Max 25V
RoHS Status RoHS Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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