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IMD14T108
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IMD14T108 Especificações técnicas
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | SMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 220 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
IMD14T108 Documentos
Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para IMD14T108
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Folhas de dados
IMD14T108.pdf
Outros incluem "IMD14" peças
As seguintes peças incluem 'IMD14'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
IMD14 | LAPIS Semiconductor | ICs Quentes Especializados | 7400 |
IMD14C | Crouzet | Sensores de Proximidade | 2737 |
IMD14T108 | ROHM Semiconductor | Arrays de Transistores BJT |
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