IMD14T108 Especificações técnicas

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Arrays de Transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 45.5
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number MD14
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 82
Continuous Collector Current 500mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Published 1999
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 100mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 220 Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Outros incluem   "IMD14"   peças

As seguintes peças incluem  'IMD14' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IMD14 LAPIS Semiconductor ICs Quentes Especializados 7400
IMD14C Crouzet Sensores de Proximidade 2737
IMD14T108 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 6814

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