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1014-12 Especificações técnicas

TRANS RF BIPO 39W 5A 55LT1

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Supplier Device Package 55LT
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1GHz ~ 1.4GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 39W
Package / Case 55LT
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 6.8dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
1014-12 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
1014-6A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2700
1014-6A Microsemi Corporation Transistores BJT RF
1014-TAB1D434 Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Avaliação e Desenvolvimento de RF, Placas 2631
1014-TAB1D434 Silicon Labs Placas RF
1014-TAB1D868 Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Avaliação e Desenvolvimento de RF, Placas 2509
1014-TAB1D868 Silicon Labs Placas RF

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