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2N2060M Especificações técnicas

TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 3W
Package / Case TO-78-6 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-78-6
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition 60MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 2nA (ICBO)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
2N2060 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 2698
2N2060 Central Semiconductor Corp Arrays BJT Transistores
2N2060A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 2781
2N2060A Central Semiconductor Corp Arrays BJT Transistores
2N2060L Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 2746
2N2060L Microsemi Corporation Arrays BJT Transistores
2N2060M Central Semiconductor Corp Arrays BJT Transistores

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