APTCV50H60T3G Especificações técnicas

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SP3
Package / Case SP3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Power - Max 176W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Full Bridge
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
APTCV40H60CT1G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2565
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APTCV50H60T3G Microsemi Corporation Módulos IGBTs
APTCV60HM45BC20T3G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2526
APTCV60HM45BC20T3G Microsemi Corporation Módulos IGBTs
APTCV60HM45BT3G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2575
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