BYG23M-E3/TR Especificações técnicas

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Diodos - Retificadores - Único
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Avalanche
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
BYG23M VISHAYMAS ICs Quentes Especializados 30298
BYG23M M2G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Retificadores - Único 2695
BYG23M R3G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Retificadores - Único 2651
BYG23M-E3 V ICs Quentes Especializados 1155
BYG23M-E3/TR Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 54753
BYG23M-E3/TR Vishay Semiconductor Diodes Division Retificador de Diodo Monofásico
BYG23M-E3/TR3 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Retificadores - Único 36415
BYG23M-E3/TR3 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 8000
BYG23M-E3/TR3 Vishay Semiconductor Diodes Division Retificador de Diodo Monofásico
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