CYD09S18V18-167BBXI Especificações técnicas

IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256FBGA

Atributo do produto Valor do atributo
Category Circuitos Integrados (CIs) / Memória
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Speed 167MHz
Package / Case 256-LBGA
Memory Type Volatile
Memory Format SRAM
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 256-FBGA (17x17)
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 9Mb (512K x 18)
Interface Parallel
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
CYD09S18V18-167BBXC Cypress Semiconductor Memória 2743
CYD09S18V18-167BBXC Cypress Semiconductor Corp Memória
CYD09S18V18-167BBXI Cypress Semiconductor Corp Memória
CYD09S18V18-200BBXC Cypress Semiconductor Memória 2737
CYD09S18V18-200BBXC Cypress Semiconductor Corp Memória
CYD09S18V18-200BBXC IC Cypress Semiconductor ICs Quentes Especializados 444
CYD09S36V18-167BBXC Cypress Semiconductor Memória 2600
CYD09S36V18-167BBXC Cypress Semiconductor Corp Memória
CYD09S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor Memória 2604
CYD09S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor Corp Memória

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