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HGT1S2N120CN Especificações técnicas
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - IGBTs - Único |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V |
Switching Energy | 96µJ (on), 355µJ (off) |
Power - Max | 104W |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 20A |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
Td (on/off) @ 25°C | 25ns/205ns |
Supplier Device Package | TO-262 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 30nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 13A |
HGT1S2N120CN Documentos
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-
Folhas de dados
HGT1S2N120CN.pdf
Outros incluem "HGT1S" peças
As seguintes peças incluem 'HGT1S'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
HGT1S10N120BNS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Único | 3141 |
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Único | 1180 |
HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | IGBTs Individuais | |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Único | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Único | 5213 |
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | IGBTs Individuais | |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ICs Quentes Especializados | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Único | 2995 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Único | 578 |
HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | IGBTs Individuais |
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