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IRFPG30PBF Especificações técnicas

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFPG30PBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247-3
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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