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MMUN2111LT1 Especificações técnicas

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 246mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Outros incluem   "MMUN2"   peças

As seguintes peças incluem  'MMUN2' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
MMUN2111 N/A ICs Quentes Especializados 3000
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pré-Polarizados
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
MMUN2111RLT1 LRC ICs Quentes Especializados 3500
MMUN2111RLT1G ON ICs Quentes Especializados 4270
MMUN2112LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 725

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