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MUN5311DW1T1 Especificações técnicas

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Outros incluem   "MUN53"   peças

As seguintes peças incluem  'MUN53' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
MUN53110W1T1 ON ICs Quentes Especializados 3100
MUN5311DW1T1 Rochester Electronics, LLC Arrays de Transistores BJT
MUN5311DW1T1 ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT
MUN5311DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 500373
MUN5311DW1T1G ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT
MUN5311DW1T2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2632
MUN5311DW1T2G ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT
MUN5312DW1T ON ICs Quentes Especializados 6500
MUN5312DW1T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 16600
MUN5312DW1T1 ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT

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