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NE85619-A Especificações técnicas
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 4.5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-523 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
NE85619-A Documentos
Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para NE85619-A
-
Folhas de dados
1.NE85619-A.pdf 2.NE85619-A.pdf
Outros incluem "NE856" peças
As seguintes peças incluem 'NE856'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
NE85618 | NEC | ICs Quentes Especializados | 5 |
NE85618-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2712 |
NE85618-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85618-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 63453 |
NE85618-T1-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85619 | NEC | ICs Quentes Especializados | 5 |
NE85619-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85619-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 3150 |
NE85619-T1 | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85619-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 6248 |
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