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SIHF30N60E-GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIHF30N60E-GE3CT SIHF30N60E-GE3CT-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Series E
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
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SIHF30N60E-GE3 Documentos

Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para SIHF30N60E-GE3

Outros incluem   "SIHF3"   peças

As seguintes peças incluem  'SIHF3' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SIHF30N60E-E3 vishay ICs Quentes Especializados 2651
SIHF30N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 5461
SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET Únicos
SIHF35N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2520
SIHF35N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2733

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