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SQD19P06-60L_GE3 Especificações técnicas

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SQD19P06-60L VISHAY ICs Quentes Especializados 10466
SQD19P06-60L MOS Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 17754
SQD19P06-60L-E3 ViSHAY ICs Quentes Especializados 2674
SQD19P06-60L-GE3 V ICs Quentes Especializados 2467
SQD19P06-60L-GE3 MOS Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 513
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SQD19P06-60L_GE3 fabricantes de marcas: Vishay / Siliconix, Bonchip estoque, SQD19P06-60L_GE3 Preço de referência. SQD19P06-60L_GE3 parâmetros, SQD19P06-60L_GE3 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SQD19P06-60L_GE3 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SQD19P06-60L_GE3 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SQD19P06-60L_GE3 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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