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SQJ560EP-T1_GE3
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SQJ560EP-T1_GE3 Especificações técnicas
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 34W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 45nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array N and P-Channel 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQJ560EP-T1_GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 47 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 25V |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc), 18A (Tc) |
SQJ560EP-T1_GE3 Documentos
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-
Folhas de dados
SQJ560EP-T1_GE3.pdf
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Arrays de Transistores MOSFETs |
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