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VS-ETF150Y65N Especificações técnicas

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Supplier Device Package Module
Power - Max 600W
Other Names VS-ETF150Y65NGI
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 37 Weeks
Input Standard
Detailed Description IGBT Module NPT Half Bridge Inverter 650V 201A 600W Module
Configuration Half Bridge Inverter
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A
Series FRED Pt®
Package / Case Module
Operating Temperature 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 201A
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VS-ETF150Y65N Documentos

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Outros incluem   "VS-ET"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
VS-ETF075Y60U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 15
VS-ETF075Y60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2753
VS-ETF075Y60U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBTs
VS-ETF150Y65N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2510
VS-ETF150Y65N Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBTs
VS-ETF150Y65U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2685
VS-ETF150Y65U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2655
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBTs
VS-ETH0806-M3 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Retificadores - Único 1374
VS-ETH0806-M3 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 2910

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