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2N5550G Especificações técnicas
2N5550G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Semicondutores Discretos / Transistores BJT Únicos |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Voltage - Rated DC | 140V |
Terminal Position | BOTTOM |
Current Rating | 600mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 140V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 100MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 160V |
hFE Min | 60 |
Length | 5.2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Copper, Silver, Tin |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Bulk |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 625mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 300MHz |
Base Part Number | 2N5550 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 625mW |
Gain Bandwidth Product | 300MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 140V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Height | 5.33mm |
Width | 4.19mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
2N5550G Documentos
Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para 2N5550G
-
Folhas de dados
Outros incluem "2N555" peças
As seguintes peças incluem '2N555'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
2N5550 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 88610 |
2N5550 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
2N5550 | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
2N5550BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2592 |
2N5550BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2525 |
2N5550BU | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
2N5550BU | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
2N5550G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 757 |
2N5550G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
2N5550RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2599 |
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