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2N5550 Especificações técnicas
TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 300MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
2N5550 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
2N5550 | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
2N5550BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2592 |
2N5550BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2525 |
2N5550BU | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
2N5550BU | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
2N5550G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 757 |
2N5550G | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
2N5550G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
2N5550RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2599 |
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