HGT1S7N60C3DS9A Especificações técnicas

HGT1S7N60C3DS9A datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / IGBTs Individuais
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AB
Part Status Obsolete
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 37ns
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 60W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge 23nC
Switching Energy 165μJ (on), 600μJ (off)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Único 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor IGBTs Individuais
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Único 3181
HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Único 5213
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor IGBTs Individuais
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HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor IGBTs Individuais

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