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RN2910FE,LF(CB
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RN2910FE,LF(CB Especificações técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN2910FE,LF(CB Documentos
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Folhas de dados
RN2910FE,LF(CB.pdf
Outros incluem "RN291" peças
As seguintes peças incluem 'RN291'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
RN2910 | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 6208 |
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2667 |
RN2910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Arrays de Transistores BJT | |
RN2910FE | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 63102 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba | Arrays de Transistores BJT | |
RN2910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Arrays de Transistores BJT | |
RN2911 | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3254 |
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2555 |
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2518 |
RN2911FE | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 4447 |
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