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RN2910FE,LF(CT
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RN2910FE,LF(CT Especificações técnicas
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Semicondutores Discretos / Arrays de Transistores BJT |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Discontinued |
Max Power Dissipation | 100mW |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -5V |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 3.005049mg |
Published | 2016 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Polarity | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | -50V |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 200MHz |
hFE Min | 120 |
Continuous Collector Current | -100mA |
RN2910FE,LF(CT Documentos
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Folhas de dados
Outros incluem "RN291" peças
As seguintes peças incluem 'RN291'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
RN2910 | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 6208 |
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2667 |
RN2910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Arrays de Transistores BJT | |
RN2910FE | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 63102 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2706 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba | Arrays de Transistores BJT | |
RN2911 | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3254 |
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2555 |
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2518 |
RN2911FE | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 4447 |
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