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VS-FB180SA10P Especificações técnicas

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-227
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case SOT-227-4
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 180A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Outros incluem   "VS-FB"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
VS-FB180SA10P Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2652
VS-FB190SA10 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2616
VS-FB190SA10 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2566
VS-FB190SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division Transistores MOSFET Únicos

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