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VS-FB190SA10 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.35V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 180A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227
Power Dissipation (Max) 568W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Outros incluem   "VS-FB"   peças

As seguintes peças incluem  'VS-FB' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
VS-FB180SA10P Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2758
VS-FB180SA10P Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2652
VS-FB190SA10 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2566
VS-FB190SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division Transistores MOSFET Únicos

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